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光电耦合器

驱动光耦

栅极驱动光耦比较适合驱动功率IGBT和MOSFET, 较高的输出电压能达到功率器件的栅极电压驱动要求。电压和电流由这些光耦提供，使它们能直接驱动IGBT。栅极驱动光耦用于在控制电路和高压之间，提供增强的电绝缘。其仰制高共模噪声的能力可防止在高频开关期间功率半导体的误动作。其共模瞬态耐久性最高等级为 35kV/s, 可用于逆变器、伺服系统等噪声环境恶劣的工业产品。

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Product Name	Status	Package	VCC(v)	IO(A)	CMH/L(kV/μs)	Operating Temperature (℃)	Viso@1min (Vrms)
JOC3120R DataSheet	MP	DIP-8, SMD-8	15～35	3	35	-40～110	5000
JOC314 DataSheet	MP	LSOP-5	10～30	1	35	-40～110	5000
JOC341 DataSheet	MP	LSOP-5	15～30	3	35	-40～110	5000
JOC343 DataSheet	MP	LSOP-5	15～30	4	35	-40～110	5000

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